[发明专利]功放控制方法、装置、GaN功放及GaAs功放在审
| 申请号： | 201410497369.8 | 申请日： | 2014-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN105450187A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 张琪 | 申请（专利权）人： | 中兴通讯股份有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/52 | 分类号： | H03F1/52;H03F3/20 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;梁丽超 |
| 地址： | 518057 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种功放控制方法、装置、GaN功放及GaAs功放，其中，该方法包括：对功放的漏极是否短路进行检测；依据检测获得的检测结果，确定用于控制功放漏极电压的开关信号；依据开关信号对功放的漏极电压进行控制，通过本发明，解决了相关技术中，功放(例如，GaN功放)在出现栅极焊接对地短路或虚焊的现象，如果在测试中加漏压则会出现功放管烧毁问题，导致浪费的问题，进而达到了不管出现任何焊接问题均不会损坏功放管，对功放进行了有效保护的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 功放 控制 方法 装置 gan gaas | ||
【主权项】：
一种功放控制方法，其特征在于，包括：对所述功放的漏极是否短路进行检测；依据检测获得的检测结果，确定用于控制所述功放漏极电压的开关信号；依据所述开关信号对所述功放的漏极电压进行控制。
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