[发明专利]一种方向耦合光波导探测器的前端输入波导结构有效
| 申请号： | 201410486060.9 | 申请日： | 2014-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN104238010B | 公开（公告）日： | 2017-12-01 |
| 发明（设计）人： | 余学才;毛康;王玉杰;江倩 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | G02B6/122 | 分类号： | G02B6/122;G02B6/24 |
| 代理公司： | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙)51227 | 代理人： | 周永宏 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于光电技术领域，公开了一种方向耦合光波导探测器的前端输入波导结构，包括从下往上依次层叠的衬底层、覆盖层、下波导层、间隙层、上波导层、吸收层，衬底层、覆盖层、下波导层、间隙层、上波导层前端面平齐，吸收层位于上波导层后部上表面，间隙层为耦合层，吸收层前端面与上波导层前端面的距离为2倍耦合长度。本发明克服了波导探测器和水平方向耦合波导探测器缺点，能有效增加光电流，还解决波导前端由于模式演化问题导致过热烧毁问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 方向 耦合 波导 探测器 前端 输入 结构 | ||
【主权项】：
一种方向耦合光波导探测器的前端输入波导结构，其特征在于：包括从下往上依次层叠的衬底层、覆盖层、下波导层、间隙层、上波导层、吸收层，所述衬底层、覆盖层、下波导层、间隙层、上波导层前端面平齐，所述吸收层位于上波导层后部上表面；所述吸收层前端面与上波导层前端面的距离为2倍耦合长度。
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