[发明专利]肖特基势垒二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括：n‑型外延层，布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一p+区，布置在n‑型外延层上；n型外延层，布置在n‑型外延层和第一p+区上；第二p+区，布置在n型外延层上，并且与第一p+区相接触；肖特基电极，布置在n型外延层和第二p+区上；以及欧姆电极，布置在n+碳化硅基板的第二表面上，其中第一p+区具有栅格形状，其包括多个垂直部以及将各个垂直部的两端彼此连接的水平部，垂直部包括多个具有类六边形的第一部、多个连接各个第一部的第二部、以及多个连接第一部和水平部的第三部，并且第二部和第三部被定形为类杆状。

主权项

1.一种肖特基势垒二极管，包括：n‑型外延层，布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一p+区，布置在所述n‑型外延层上；n型外延层，布置在所述n‑型外延层和所述第一p+区上；第二p+区，布置在所述n型外延层上，并且与所述第一p+区相接触；肖特基电极，布置在所述n型外延层和所述第二p+区上；以及欧姆电极，布置在所述n+碳化硅基板的第二表面上，其中所述第一p+区具有栅格形状，其包括多个垂直部以及将各个所述垂直部的两端彼此连接的水平部，所述垂直部包括多个具有类六边形的第一部、多个连接各个所述第一部的第二部、以及多个连接所述第一部和所述水平部的第三部，并且所述第二部和所述第三部被定形为类杆状，并且穿过所述第一部的中心点的水平线与穿过相邻垂直部的所述第一部的中心点的水平线不相交。