[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201410484165.0 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN105489651B | 公开（公告）日： | 2019-02-01 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;张永奎;赵治国;陆智勇;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构，其中栅极堆叠结构包括栅极导电层和栅极绝缘层，栅极导电层由掺杂多晶半导体构成；沟道区，多个鳍片结构中位于栅极堆叠结构下方；源漏区，在多个鳍片结构上、位于栅极堆叠结构沿第一方向两侧。依照本发明的半导体器件及其制造方法，对大面积多晶半导体栅极执行掺杂之后再刻蚀形成栅极线条，能有效提高对于掺杂多晶半导体栅极调节阈值电压的精度，以低成本抑制短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：多个鳍片结构，在衬底上沿第一方向延伸；栅极堆叠结构，在衬底上沿第二方向延伸，跨越多个鳍片结构，其中栅极堆叠结构包括栅极导电层和栅极绝缘层，栅极导电层由掺杂多晶半导体构成，其中在鳍片上形成沿第二方向延伸的绝缘层和掺杂多晶半导体层、沿第二方向依次刻蚀掺杂多晶半导体层和绝缘层以分别形成栅极导电层和栅极绝缘层；沟道区，多个鳍片结构中位于栅极堆叠结构下方；源漏区，在多个鳍片结构上、位于栅极堆叠结构沿第一方向两侧；每个鳍片结构中部和底部分别具有第一和第二穿通阻挡层，第二穿通阻挡层的宽度大于第一穿通阻挡层的宽度。
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