[发明专利]检测芯片内部节点电位的方法在审
| 申请号： | 201410482675.4 | 申请日： | 2014-09-19 |
| 公开（公告）号： | CN104319245A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 马香柏 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种检测芯片内部节点电位的方法，包含如下步骤：选取样品芯片，对样品芯片的背面进行研磨至目标层次；采用化学腐蚀的方法继续腐蚀样品芯片的背面，至绝缘隔离层露出；采用聚焦离子束机台，穿越绝缘层刻蚀出连接通路，并采用铂金属进行填充，并在连接通路的末端形成焊盘；将样品芯片转移至手动测试机台，使用接地电位的探针对焊盘进行预扎针，释放电荷；对探针施加相应的测试信号，进行样品芯片的测试，检测焊盘节点信号的变化。上述方法对多层次金属互联实现了正反面都可以实施电位检测，改善芯片失效分析水平。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 芯片 内部 节点 电位 方法 | ||
【主权项】：
一种检测芯片内部节点电位的方法，其特征在于：包含如下步骤：第一步，选取样品芯片，对样品芯片的背面进行研磨至目标层次；第二步，采用化学腐蚀的方法继续腐蚀样品芯片的背面，至绝缘隔离层露出；第三步，采用聚焦离子束机台，穿越绝缘层刻蚀出连接通路，并采用铂金属进行填充，并在连接通路的末端形成焊盘；第四步，将样品芯片转移至手动测试机台，使用接地电位的探针对焊盘进行预扎针，释放电荷；第五步，对探针施加相应的测试信号，进行样品芯片的测试，检测焊盘节点信号的变化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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