[发明专利]具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及其制备方法与应用有效
| 申请号： | 201410478795.7 | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN105483615B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 曾飞;刘宏燕;王光月;潘峰 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | C23C14/08 | 分类号： | C23C14/08;C23C14/35;C23C14/28;C01B21/072;H01F10/18 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 关畅 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有闪锌矿结构的磁性氮化铝薄膜材料及制备方法与应用。该Sc掺杂的氮化铝中，所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构，且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置。Sc与Al的摩尔比为76：24；所述(Al+Sc)元素与氮元素的摩尔比为1：1。本发明制备的是一种具有闪锌矿的稀磁自旋半导体材料，这种闪锌矿结构的材料居里温度高、室温稳定性好，自旋注入效率高，已报导的稀磁半导体GaN的晶体结构属于六角晶系，磁性弱且接近超顺磁特性，因此，本发明具有广阔的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 闪锌矿 结构 磁性 氮化 薄膜 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种Sc掺杂的氮化铝薄膜材料，其特征在于：所述Sc掺杂的氮化铝的晶体结构为闪锌矿结构，且所述Sc元素占据晶格中部分Al元素的位置；所述Al元素与Sc元素的摩尔比为76：24；所述Al元素与Sc元素的总摩尔量与N元素的摩尔量的比例为1：1；所述Sc掺杂的氮化铝薄膜材料的居里温度为124℃。
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