[发明专利]一种自适应红外焦平面阵列读出电路

摘要

本发明实施例公开了一种自适应红外焦平面阵列读出电路，包括自适应衬底温度补偿电路和偏置电路，该自适应衬底温度补偿电路基于通道级微测辐射热计盲电阻产生自适应偏置电压，并用该自适应偏置电压偏置像素级微测辐射热计红外敏感电阻。本发明的实施例的电路中，利用随衬底温度变化的自适应偏置电压，实现了对衬底温度的补偿，去除掉了TEC，大大减小了芯片封装的体积及制造成本，同时大大提高整体电路的均匀性及可靠性。

主权项

一种自适应红外焦平面阵列读出电路，其特征在于，包括：自适应衬底温度补偿电路，所述自适应衬底温度补偿电路连接到通道级微测辐射热计盲电阻和像素级微测辐射热计红外敏感电阻；偏置电路，所述偏置电路连接到所述自适应衬底温度补偿电路并通过所述自适应衬底温度补偿电路为所述通道级微测辐射热计盲电阻和像素级微测辐射热计红外敏感电阻提供偏置电流；其中所述自适应衬底温度补偿电路基于所述通道级微测辐射热计盲电阻产生自适应偏置电压，并用所述自适应偏置电压偏置所述像素级微测辐射热计红外敏感电阻；所述偏置电路包括参考偏置电流源（IBIAS）和第五MOS管（MP3），其中所述第五MOS管（MP3）的源极连接到系统电源（VDD），所述第五MOS管（MP3）的漏极连接到所述第五MOS管（MP3）的栅极并且连接到所述参考偏置电流源（IBIAS），所述第五MOS管（MP3）的栅极连接到所述偏置电路的输出端；所述自适应衬底温度补偿电路包括第一MOS管（MN1）、第二MOS管（MN2）、第三MOS管（MP1）和第四MOS管（MP2），其中：所述第三MOS管（MP1）的栅极连接到所述偏置电路的输出端并且连接到所述第四MOS管（MP2）的栅极，所述第三MOS管（MP1）的源极连接到系统电源（VDD），所述第三MOS管（MP1）的漏极连接到所述第一MOS管（MN1）的漏极和栅极；所述第一MOS管（MN1）的源极连接到所述通道级微测辐射热计盲电阻（Rb），所述第一MOS管（MN1）的栅极连接到所述第二MOS管（MN2）的栅极；所述第二MOS管（MN2）的源极连接到所述像素级微测辐射热计红外敏感电阻（Rs），所述第二MOS管（MN2）的漏极连接到所述自适应衬底温度补偿电路的输出端并且连接到所述第四MOS管（MP2）的漏极；所述第四MOS管（MP2）的源极连接到系统电源（VDD）。