[发明专利]通过缓冲层调节控制LED外延片波长均匀性的方法有效
| 申请号： | 201410474419.0 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104201257B | 公开（公告）日： | 2017-01-18 |
| 发明（设计）人： | 涂靓虎;吴际 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/12 |
| 代理公司： | 北京博雅睿泉专利代理事务所(特殊普通合伙)11442 | 代理人： | 马佑平 |
| 地址： | 423038 湖南省郴*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种通过缓冲层调节控制LED外延片波长均匀性的方法，依次包括生长衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，N型GaN层，多量子阱层，P型AlGaN层，P型GaN层的步骤，其特征在于，通过调节生长时间来控制GaN缓冲层在衬底表面的沉积量，并配合分解和重结晶阶段GaN缓冲层的分解，来进行GaN缓冲层的生长；其中，所述GaN缓冲层的生长的厚度变化对应外延片中心区域与边缘的波长差。本发明通过控制LED外延缓冲层生长时间来实现控制产品波长均匀性的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 缓冲 调节 控制 led 外延 波长 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种通过缓冲层调节控制LED外延片波长均匀性的方法，依次包括生长衬底，GaN缓冲层，非掺杂GaN层，N型GaN层，多量子阱层，P型AlGaN层，P型GaN层的步骤，其特征在于，通过调节生长时间来控制GaN缓冲层在衬底表面的沉积量，并配合分解和重结晶阶段GaN缓冲层的分解，来进行GaN缓冲层的生长；其中，所述GaN缓冲层的生长的厚度为35nm，生长时间为120s，所述分解和重结晶阶段的生长时间为120s，使得所述GaN缓冲层的生长厚度每增加或减少2nm，外延片中心区域与边缘的波长差减少或增加1nm。
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