[发明专利]一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管在审
| 申请号： | 201410473240.3 | 申请日： | 2014-09-17 |
| 公开（公告）号： | CN104282735A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 杜江锋;潘沛霖;陈南庭;王康;于奇 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/10 | 分类号： | H01L29/10 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管，从下至上依次主要由衬底，氮化镓缓冲层，氮化镓沟道层，铝镓氮势垒层以及钝化层组成，在势垒层上形成与势垒层成欧姆接触的源极、漏极以及与势垒层成肖特基接触的栅极。本发明在栅极漏端的钝化层内引入负离子注入区域，负离子注入区域中的负离子会排斥部分二维电子气沟道电子，形成LDD(Low-Densit Drain)结构，在不牺牲器件可靠性的基础上调制了沟道电场分布使其更加均匀，提升了器件的耐压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 负离子 注入 钝化 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种具有负离子注入钝化层的场效应晶体管，由下至上依次主要由衬底(101)、氮化镓(GaN)缓冲层(102)、氮化镓(GaN)沟道层(103)、铝镓氮(AlGaN)势垒层(104)以及钝化层(105、106)组成，在铝镓氮(AlGaN)势垒层(104)上表面设有源极(107)、漏极(108)和栅极(109)，所述源极(107)和漏极(108)均与铝镓氮(AlGaN)势垒层(104)成欧姆接触，栅极(109)与铝镓氮(AlGaN)势垒层(104)成肖特基接触，其特征在于，在栅极(109)与漏极(108)之间的钝化层(106)区域内还设有一个以上的负离子注入区域(201)，负离子注入区域(201)中的负离子会排斥部分二维电子气沟道电子，形成LDD(Low‑Densit Drain)结构，达到调制沟道电场以实现提高耐压的目的。
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