[发明专利]图案化的方法与半导体结构

摘要

本发明公开了一种图案化的方法，该方法包括：提供具有材料层的基底；在材料层上形成图案化的硬掩模层，其中具有多个第一孔洞；接着，形成掩模层，其中包括多条线图案掩模，线图案掩模沿着一方向延伸，且将每一第一孔洞分隔成第二孔洞与第三孔洞；以图案化的硬掩模层以及掩模层做为掩模，对材料层进行图案化，以形成具有多个第四孔洞与第五孔洞的图案化的材料层。本发明还提供一种半导体结构。

主权项

1.一种图案化的方法，包括：在一基底上依序形成一材料层、一第一硬掩模层、一第二硬掩模层以及一第一掩模层；以该第一掩模层做为刻蚀掩模，刻蚀该第二硬掩模层，以形成一图案化的第二硬掩模层，该图案化的第二硬掩模层中具有多个第一孔洞，这些第一孔洞呈M×N阵列分布，M≥2，N≥2，在沿着一第一方向的关键尺寸(CD)大于沿着一第二方向的CD；移除该第一掩模层；形成一第二掩模层，该第二掩模层包括多条线图案掩模，这些线图案掩模沿着该第二方向延伸，且将每一第一孔洞分隔成一第二孔洞与一第三孔洞；以该图案化的第二硬掩模层以及该第二掩模层做为刻蚀掩模，刻蚀这些第二孔洞与这些第三孔洞裸露的该第一硬掩模层与该材料层，以形成一图案化的第一硬掩模层与一图案化的材料层；以及移除该图案化的第一硬掩模层、该图案化的第二硬掩模层以及该第二掩模层，裸露出该图案化的材料层，该图案化的材料层具有多个第四孔洞与多个第五孔洞，调整这些线图案掩模在该第一方向上的CD，以调整所形成的这些第四孔洞与这些第五孔洞沿着该第一方向的CD。