[发明专利]一种启动冲击电流限制电路

摘要

本发明公开了一种启动冲击电流限制电路，包括：MOSFET，分别与MOSFET相连的储能电容、放电电路和充电电路，以及与放电电路相连的第一二极管。充电电路设置在MOSFET的栅极，充电电路在电流限制电路上电时，控制MOSFET的栅极电压上升率低于设定值，使储能电容的充电速率低于设定值，实现冲击电流限制。放电电路设置在MOSFET的栅极电容两端，在电流限制电路的输入断电时，对MOSFET栅极电容上积累的电荷进行泄放。第一二极管用于在电流限制电路的输入断电时，阻断储能电容上的电压向电流限制电路的输入端放电。本发明能够有效限制开关电源启动冲击电流，并使限流电路迅速复位，保证电路的可靠运行。

主权项

一种启动冲击电流限制电路，其特征在于，包括：MOSFET（V3），分别与所述MOSFET（V3）相连的储能电容（C3）、放电电路（1）和充电电路（2），以及与所述放电电路（1）相连的第一二极管（D1）；所述充电电路（2）设置在MOSFET（V3）的栅极，所述充电电路（2）在所述启动冲击电流限制电路上电时，控制所述MOSFET（V3）的栅极电压上升率低于设定值，使所述储能电容（C3）的充电速率低于设定值，实现冲击电流限制；所述放电电路（1）设置在MOSFET（V3）的栅极电容两端，在所述启动冲击电流限制电路的输入断电时，对所述MOSFET（V3）栅极电容上积累的电荷进行泄放；所述第一二极管（D1）用于在所述启动冲击电流限制电路的输入断电时，阻断所述储能电容（C3）上的电压向启动冲击电流限制电路的输入端放电。