[发明专利]一种具有屏蔽环的LDMOS器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410457682.9 | 申请日： | 2014-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN104347724A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 杜寰 | 申请（专利权）人： | 上海联星电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘杰 |
| 地址： | 200120 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有屏蔽环的LDMOS器件及其制备方法。本发明适用于集成电路制造领域，提供了具有屏蔽环的LDMOS器件及其制造方法，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；沟道区；源区；漂移区；漏区；栅极多晶硅；屏蔽环。本发明实施例，通过在LDMOS器件中添加屏蔽环，使得射频LDMOS器件的击穿电压得到改变，优化了射频LDMOS器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 屏蔽 ldmos 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有屏蔽环的LDMOS器件，其特征在于，所述器件包括：P+硅衬底；在所述P+硅衬底上外延形成的P型外延区域；由形成于所述P型外延区域中的P阱组成的沟道区；由形成于所述P阱中的N+掺杂区组成的源区；由形成于所述P型外延区域中的N‑掺杂区组成的漂移区，所述漂移区与所述沟道区相邻；由形成于所述漂移区中的N+掺杂区组成的漏区，所述漏区与所述沟道区相隔一横向距离；由形成于所述沟道区上方的多晶硅组成的栅极多晶硅，所述栅极多晶硅与所述沟道区之间隔离有栅极氧化层，所述栅极多晶硅的一侧和所述源区自对准，所述栅极多晶硅的另一侧边缘大于等于所述沟道区和所述漂移区的相接边缘；由钨硅构成的屏蔽环。
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