[发明专利]一种在GaN衬底上同质外延生长的方法有效

专利信息
申请号: 201410455805.5 申请日: 2014-09-09
公开(公告)号: CN104347356B 公开(公告)日: 2017-05-17
发明(设计)人: 杨志坚;秦志新;于彤军;吴洁君;胡晓东;康香宁;王新强;许福军;沈波;张国义 申请(专利权)人: 北京大学
主分类号: H01L21/02 分类号: H01L21/02;H01L21/66;C23C16/44
代理公司: 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 代理人: 余长江
地址: 100871 北*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法,利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长,该方法能够获得比较完美的GaN外延层,可有效降低位错密度,该外延层位错密度可以达到106/cm2以下;可有效降低GaN基LED的压电极化效应,增加内量子复合效率及外量子发射效率,综合出光效率可达到普通LED的1.5倍以上;可有效降低器件发热量,增加器件使用寿命。
搜索关键词: 一种 gan 衬底 同质 外延 生长 方法
【主权项】:
一种在GaN衬底上同质外延生长的方法,包括以下步骤:(1)测量GaN衬底表面曲率半径;(2)对GaN衬底进行研磨抛光;(3)在上述衬底上淀积一层二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜;(4)采用具有环状图形的光刻板在步骤(3)得到的衬底表面形成同心掩膜环,所述具有环状图形的光刻板根据衬底翘曲的情况而设计;(5)用步骤(4)所得衬底进行外延生长,获得GaN外延层。
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