[发明专利]一种在GaN衬底上同质外延生长的方法有效
| 申请号： | 201410455805.5 | 申请日： | 2014-09-09 |
| 公开（公告）号： | CN104347356B | 公开（公告）日： | 2017-05-17 |
| 发明（设计）人： | 杨志坚;秦志新;于彤军;吴洁君;胡晓东;康香宁;王新强;许福军;沈波;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人： | 余长江 |
| 地址： | 100871 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，利用环状图形掩膜侧向外延实现氮化镓(GaN)衬底上同质外延生长，该方法能够获得比较完美的GaN外延层，可有效降低位错密度，该外延层位错密度可以达到106/cm2以下；可有效降低GaN基LED的压电极化效应，增加内量子复合效率及外量子发射效率，综合出光效率可达到普通LED的1.5倍以上；可有效降低器件发热量，增加器件使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 衬底 同质 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种在GaN衬底上同质外延生长的方法，包括以下步骤：(1)测量GaN衬底表面曲率半径；(2)对GaN衬底进行研磨抛光；(3)在上述衬底上淀积一层二氧化硅薄膜或氮化硅薄膜；(4)采用具有环状图形的光刻板在步骤(3)得到的衬底表面形成同心掩膜环，所述具有环状图形的光刻板根据衬底翘曲的情况而设计；(5)用步骤(4)所得衬底进行外延生长，获得GaN外延层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
