[发明专利]高密度IO互连PoP堆叠封装结构及其制造工艺在审
| 申请号： | 201410453946.3 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104332457A | 公开（公告）日： | 2015-02-04 |
| 发明（设计）人： | 林挺宇;孙鹏;何洪文 | 申请（专利权）人： | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市新区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种高密度IO互连PoP堆叠封装结构及其制造工艺，包括上封装体和下封装体，其特征是：所述下封装体包括具有内部连线结构的下封装体基板，在下封装体基板的背面设置背面焊球，在下封装体基板正面固定芯片和多个正面焊球，正面焊球上设置铜柱，芯片、正面焊球和铜柱被塑封于塑封材料中，铜柱的下端与正面焊球固定，铜柱的上端凸出于塑封材料的表面；所述上封装体背面的焊球与下封装体中的铜柱上表面连接。本发明通过在PoP下封装体上涂覆焊锡膏和贴装金属铜柱的方式，缩小上、下封装体之间的互连节距，提升I/O互连数量。 | ||
| 搜索关键词： | 高密度 io 互连 pop 堆叠 封装 结构 及其 制造 工艺 | ||
【主权项】：
一种高密度IO互连PoP堆叠封装结构，包括上封装体（1a）和下封装体（7），其特征是：所述下封装体（7）包括具有内部连线结构的下封装体基板（1），在下封装体基板（1）的背面设置背面焊球（6），在下封装体基板（1）正面固定芯片（4）和多个正面焊球（2），正面焊球（2）上设置铜柱（3），芯片（4）、正面焊球（2）和铜柱（3）被塑封于塑封材料（5）中，铜柱（3）的下端与正面焊球（2）固定，铜柱（3）的上端凸出于塑封材料（5）的表面；所述上封装体（1a）背面的焊球（2a）与下封装体（7）中的铜柱（3）上表面连接。
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