[发明专利]非制冷光子型硅基红外探测器芯片及其制备方法和应用

摘要

本发明属于红外探测器技术领域，具体为一种非制冷的光子型硅基红外探测器芯片及其备作方法和应用。本发明结构自上而下依次为：n+重掺杂微结构层、硅表面的微结构以及n型硅片。本发明结构为一固有连接的整体，所述硅表面的锥体结构是在含氮元素的气体氛围中，用超快激光辐照背面n型硅片获得，由于辐照区域氮原子的高浓度掺入，在锥体结构表层形成所述n+重掺杂微结构层，并在硅禁带中引入杂质能带。本发明的红外探测器芯片吸收近红外和中红外波段光波，尤其吸收“大气窗口”的透过波段，因此可用于军工红外探测方面。同时制作工艺简单，生产良率高。另外，非制冷光子型硅基红外探测器可以在常温下工作，成本低，可以普及到民用方面。

主权项

 一种非制冷光子型硅基红外探测器芯片，其特征在于结构自上而下依次为：n+重掺杂微结构层；硅表面的锥体结构；n型硅片；所述n型硅片为晶向（100）、（110）或（111）的n型单晶硅片，双面抛光，厚度为300‑500 μm，电阻率为1000‑5000 Ω·cm。