[发明专利]半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法有效

专利信息
申请号: 201410450460.4 申请日: 2014-09-05
公开(公告)号: CN104425473B 公开(公告)日: 2017-09-29
发明(设计)人: G.比尔;I.埃舍尔-珀佩尔;J.赫格尔;O.霍尔费尔德;P.坎沙特 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L25/18;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 卢江,胡莉莉
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明涉及半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法。该半导体装置包括上和下接触板、多个芯片组件、介电填料以及控制电极互连结构。每个芯片组件具有拥有半导体本体的半导体芯片,半导体本体具有上侧和对置的在垂直方向上隔开的下侧。每个半导体芯片具有在上和下侧上的上和下主电极、在上侧上的控制电极和导电上补偿小板,通过填料将芯片组件以材料决定的方式彼此连接成固定复合体。每个芯片组件的上补偿小板的背离半导体本体的侧并不或至少不完全被填料覆盖。控制电极互连结构布置在复合体上并且将芯片组件的控制电极彼此导电连接。每个芯片组件布置在上与下接触板之间,使得上补偿小板的背离半导体本体的侧电接触上接触板。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 运行 方法 芯片 组件
【主权项】:
一种半导体装置,包括:上接触板(41)和下接触板(42);多个芯片组件(2),所述芯片组件中的每一个具有:‑ 半导体芯片(1),该半导体芯片具有半导体本体(10),其中所述半导体本体(10)具有上侧和与所述上侧对置的下侧,并且其中所述上侧在垂直方向(v)上与所述下侧隔开;‑ 布置在所述上侧上的上主电极(11);‑ 布置在所述下侧上的下主电极(12);‑ 布置在所述上侧上的控制电极(13),借助所述控制电极能够控制在所述上主电极(11)与所述下主电极(12)之间的电流;以及‑ 导电的上补偿小板(21),该上补偿小板被布置在所述上主电极(11)的背离所述半导体本体(10)的侧上并且借助上连接层(31)与所述上主电极(11)以材料决定的方式且导电地连接;介电的填料(4),所述芯片组件(2)被嵌入所述填料(4)中并且随后使填料(4)硬化,使得所述芯片组件(2)以材料决定的方式彼此连接成固定的复合体(6),其中在所述芯片组件(2)中的每一个中有关的芯片组件(2)的上补偿小板(21)的背离所述半导体本体(10)的侧并未或至少未完全被所述填料(4)覆盖;控制电极互连结构(70),所述控制电极互连结构被布置在所述固定的复合体(6)上并且所述控制电极互连结构将所述芯片组件(2)的控制电极(13)彼此导电连接;其中所述芯片组件(2)中的每一个被布置在所述上接触板(41)与所述下接触板(42)之间,使得在该芯片组件(2)中所述上补偿小板(21)的背离所述芯片本体(10)的侧电接触所述上接触板(41)。
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