[发明专利]一种具有氨气敏感效应的二硫化钼薄膜器件及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201410450273.6 | 申请日： | 2014-09-05 |
| 公开（公告）号： | CN104198532A | 公开（公告）日： | 2014-12-10 |
| 发明（设计）人： | 郝兰众;刘云杰;高伟;于濂清;薛庆忠 | 申请（专利权）人： | 中国石油大学（华东） |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 邵朋程 |
| 地址： | 266555 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开一种具有氨气敏感效应的二硫化钼薄膜器件及其制备方法和应用，该MoS2薄膜器件包括MoS2薄膜层、作为薄膜载体的半导体硅衬底及金属铟电极。MoS2薄膜层是利用直流磁控溅射真空镀膜技术沉积于Si衬底表面。本发明通过在Si衬底表面沉积MoS2薄膜，利用MoS2薄膜材料对NH3的吸附作用，研制出具有对NH3敏感效应的MoS2薄膜器件。测试结果显示：所制备的MoS2薄膜器件对NH3具有明显的敏感性能，即在NH3条件下器件正向电流显著增加。所制备薄膜器件对NH3响应随气体浓度的增加而线性增大；在测量范围内，该器件对NH3的响应可达到226.9％。同时，该MoS2薄膜器件对NH3响应具有响应速度快、状态稳定、周期重复性好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 氨气 敏感 效应 二硫化钼 薄膜 器件 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
一种具有氨气敏感效应的二硫化钼薄膜器件，其特征在于：包括MoS2薄膜层、作为MoS2薄膜层载体的Si衬底及金属In电极，MoS2薄膜层设置在Si衬底表面，MoS2薄膜层厚度为200‑300nm，金属In电极分别压制于MoS2薄膜层和Si衬底表面。
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