[发明专利]CMOS器件及其制造方法

摘要

一种CMOS器件，包括多个NMOS和多个PMOS，每个NMOS和每个PMOS均包括在衬底上由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区，其中，每个NMOS和每个PMOS的栅极金属层均包括第一阻挡层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层、和填充层，其特征在于：PMOS栅极金属层中的第一阻挡层厚度大于NMOS栅极金属层中的第一阻挡层的厚度。通过利用第一阻挡层或者PMOS功函数金属层自身作为刻蚀停止层，消除了额外的刻蚀停止层，简化了金属栅堆叠结构，提高了CMOS器件金属栅的填充率，并且可以通过控制第一阻挡层的厚度而调整不同器件的功函数，利于实现多阈值器件。

主权项

1.一种CMOS器件，包括多个NMOS和多个PMOS，每个NMOS以及每个PMOS均包括在衬底上的由栅极绝缘层和栅极金属层构成的栅极堆叠、衬底中栅极堆叠两侧的源漏区、以及栅极堆叠下方的沟道区，其中，每个NMOS以及每个PMOS的栅极金属层均由第一阻挡层、NMOS功函数调节层、第二阻挡层、以及填充层构成，其特征在于：PMOS的栅极金属层中的第一阻挡层厚度大于NMOS的栅极金属层中的第一阻挡层的厚度，其中，多个NMOS的栅极金属层中的第一阻挡层厚度相互不同，和/或多个PMOS的栅极金属层中的第一阻挡层的厚度相互不同，第一阻挡层用于防止轻质离子扩散。