[发明专利]一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片

摘要

一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片，包括基底，在基底上设有硅结构层，在硅结构层上设有上极板；基底的上表面与硅结构层的下表面通过阳极键合连接，硅结构层的上表面与上极板的下表面通过阳极键合连接，采用压阻原理测量静电场力，从而得到静电场强度；采用梁膜结合的方式，使得测量灵敏度极大提高；芯片中心膜不带质量块，厚度小，并且采用四梁支撑承力膜，提高了结构刚度，传感器芯片频响高，连接简洁，电阻条和引线布置易于实现，结构稳定，制作工艺成熟，采用可靠的封装方法，可以使芯片适应多种不同环境；芯片批量化生产后单个成本很低，而且接口和安装极为简便，适合工业现场大规模应用。

主权项

一种基于压敏原理的梁膜结构高压静电场传感器芯片，包括基底(3)，其特征在于：在基底(3)上设有硅结构层(2)，在硅结构层(2)上设有上极板(1)；基底(3)的上表面与硅结构层(2)的下表面通过阳极键合连接，硅结构层(2)的上表面与上极板(1)的下表面通过阳极键合连接。