[发明专利]一种阈值电压可调的薄膜晶体管在审
| 申请号： | 201410442648.4 | 申请日： | 2014-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN104183649A | 公开（公告）日： | 2014-12-03 |
| 发明（设计）人： | 黄晓东;黄见秋 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211189 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种阈值电压可调的薄膜晶体管，包括衬底、设在衬底上的第一栅极，设在衬底上并覆盖第一栅极的第一栅氧化层，设在第一栅氧化层上的沟道层，设在沟道层上相对两侧的源极、漏极，和设在沟道层以及源极、漏极上的隧穿层，设在隧穿层上的存储层，设在存储层上的阻挡层和设在阻挡层上的第二栅极。所述第二栅极位于第一栅极正上方。本发明的薄膜晶体管利用俘获在存储层中的电荷调节晶体管的阈值电压，具有结构简单、低功耗、高稳定性、与现有技术兼容等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 阈值 电压 可调 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种阈值电压可调的薄膜晶体管，其特征在于，包括衬底（10）、设在衬底（10）上的第一栅极（11），设在衬底（10）上并且覆盖第一栅极（11）的第一栅氧化层（12），设在第一栅氧化层（12）上的沟道层（13），设在沟道层（13）上相对两侧的源极（14）、漏极（15），设在沟道层（13）上以及源极（14）、漏极（15）上的隧穿层（21），设在隧穿层（21）上的存储层（22），设在存储层（22）上的阻挡层（23），以及设在阻挡层（23）上的第二栅极（17），所述第二栅极（17）位于第一栅极（11）正上方。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东南大学;，未经东南大学;许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410442648.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
