[发明专利]光刻胶剥离方法

摘要

一种光刻胶剥离方法，包含：提供半导体基板、浸泡步骤及剥离步骤，该半导体基板具有基板、焊垫、保护层、凸块下金属层、图案化光刻胶层及凸块，该图案化光刻胶层覆盖该凸块下金属层及该凸块的侧面，且该图案化光刻胶层及该凸块的该侧面之间形成有第一接合界面，该图案化光刻胶层及该凸块下金属层之间形成有第二接合界面，在浸泡步骤中，由于该图案化光刻胶接触化学液，可使得该第一接合界面的接合强度减弱，在剥离步骤中以具有适当冲击力的流体冲刷该半导体基板，可使该图案化光刻胶层由该基板上剥离，可大幅减少基板浸泡化学液的时间，并减少化学液的用量，且由于浸泡化学液的时间较短，并不会影响该半导体基板的结构，可大幅提升生产的良率。

主权项

一种光刻胶剥离方法，其包含：半导体基板，该半导体基板具有基板、焊垫、保护层、凸块下金属层、图案化光刻胶层及凸块，该焊垫位于该基板的表面，该保护层覆盖该基板及该焊垫，且该保护层具有开口，该开口显露该焊垫，该凸块下金属层覆盖该保护层，该凸块设置于该凸块下金属层上，该凸块具有侧面，该图案化光刻胶层覆盖该凸块下金属层及该凸块的该侧面，且该图案化光刻胶层及该凸块的该侧面之间形成有第一接合界面，该图案化光刻胶层及该凸块下金属层之间形成有第二接合界面，其中该第一接合界面具有第一接合强度，该第二接合界面具有第二接合强度；其特征在于提供该半导体基板进行以下步骤：一、浸泡步骤，将该半导体基板浸泡至化学液中，使该化学液接触该图案化光刻胶层，且该化学液渗入该第一接合界面中，使该第一接合界面的该第一接合强度转变为第三接合强度，该第二接合界面的该第二接合强度转变为第四接合强度，其中该第三接合强度小于该第一接合强度；以及二、剥离步骤，以流体冲刷该半导体基板，该流体具有冲击力，该冲击力大于该第三接合强度及该第四接合强度，以使该图案化光刻胶层由该基板上剥离，以显露该凸块的该侧面及该凸块下金属层。