[发明专利]具有垂直沟道结构的半导体器件

摘要

本发明提供具有垂直沟道结构的半导体器件。该半导体器件可以包括半导体衬底、地选择栅极电极和沟道结构。沟道结构可以在垂直于衬底的顶表面的第一方向上延伸穿过地选择栅极电极，并且包括沟道层、沟道接触层和台阶部分。沟道接触层可以接触衬底并且包括在垂直于第一方向的第二方向上的第一宽度。沟道层可以接触沟道接触层，包括在第一方向上在地选择栅极电极的底表面与衬底的顶表面之间的底表面，并且包括在第二方向上的不同于第一宽度的第二宽度。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上交替地形成多个牺牲层和多个绝缘层，所述多个牺牲层包括第一牺牲层和在所述第一牺牲层上的多个第二牺牲层，所述多个第二牺牲层包括与所述第一牺牲层的材料不同的材料；形成穿过所述多个牺牲层和所述多个绝缘层的沟道孔以暴露所述衬底的顶表面；形成填充所述沟道孔的底部的底部保护层；使用与所述底部保护层不同的材料在所述沟道孔的内壁上形成侧壁保护层以接触所述底部保护层的顶表面；去除所述底部保护层使得所述侧壁保护层保留在所述沟道孔中；形成填充所述沟道孔的底部的沟道接触层，所述沟道接触层的顶表面位于比所述多个第二牺牲层当中的最下面的第二牺牲层的底表面低的水平处；去除所述侧壁保护层；在所述沟道孔的所述内壁上形成第一栅极绝缘层；在所述第一栅极绝缘层上形成接触所述沟道接触层的沟道层；以及去除所述第一牺牲层并在所述第一牺牲层被去除的位置处形成第一栅电极。