[发明专利]一种CMOS图像传感器

摘要

本发明的实施例提供一种CMOS图像传感器，涉及半导体技术领域，可实现高敏度和高速响应。该CMOS图像传感器的每个像素单元包括P型半导体衬底及其上方的第一N型离子层和围绕第一N型离子层的P阱；第一N型离子层上方的第二N型离子层、第三N型离子层、第一P型离子层和第二P型离子层；第一P型离子层和第二P型离子层被第二N型离子层间隔，第二N型离子层和第三N型离子层被第二P型离子层间隔；第二N型离子层的掺杂浓度和第三N型离子层的掺杂浓度大于第一N型离子层的掺杂浓度；第一P型离子层的掺杂浓度和第二P型离子层的掺杂浓度介于P阱的掺杂浓度和P型半导体衬底的掺杂浓度之间；用于传感器的制造。

主权项

一种CMOS图像传感器，其特征在于，包括阵列排布的多个像素单元；所述CMOS图像传感器的每个像素单元包括：P型半导体衬底；位于所述P型半导体衬底上方的第一N型离子层，以及围绕所述第一N型离子层的P阱；位于所述第一N型离子层上方的第二N型离子层和第三N型离子层，以及第一P型离子层和第二P型离子层；所述第一P型离子层和所述第二P型离子层被所述第二N型离子层间隔，所述第二N型离子层和所述第三N型离子层被所述第二P型离子层间隔；其中，所述第一N型离子层与所述第一P型离子层、所述第二N型离子层、所述第二P型离子层、所述第三N型离子层均接触，且所述第一P型离子层、所述第二N型离子层、所述第二P型离子层、所述第三N型离子层之间均不接触；所述第二N型离子层的掺杂浓度和所述第三N型离子层的掺杂浓度均大于所述第一N型离子层的掺杂浓度；所述P阱的掺杂浓度大于所述第一P型离子层的掺杂浓度和所述第二P型离子层的掺杂浓度，且所述第一P型离子层的掺杂浓度和所述第二P型离子层的掺杂浓度均大于所述P型半导体衬底的掺杂浓度。