[发明专利]LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201410434143.3 | 申请日： | 2014-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN105374910A | 公开（公告）日： | 2016-03-02 |
| 发明（设计）人： | 谢春林 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LED芯片，包括：衬底；在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层、P型半导体层和导电层，所述N型半导体层未被发光层覆盖的区域为N电极安装区；所述N电极安装区设有台阶，所述台阶包括第一台面、高度低于第一台面的第二台面及第一台面和第二台面之间的台阶侧面；P电极和N电极，所述P电极形成在导电层之上，所述N电极形成在第二台面上，并且与台阶侧面相接触。该LED芯片在N电极安装区制作台阶结构，然后在台阶结构上形成N电极，和传统同侧电极结构的LED芯片相比，使N电极与N型半导体层侧壁接触，增强了电流的横向流动，提高了电流分布的均匀性，有效改善LED芯片的发光性能。 | ||
| 搜索关键词： | led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底；在衬底上依次形成的缓冲层、N型半导体层、部分覆盖N型半导体层的发光层、形成在发光层上的P型半导体层和形成在P型半导体层上的导电层，所述N型半导体层未被发光层覆盖的区域为N电极安装区；所述N电极安装区设有台阶，所述台阶包括第一台面、高度低于第一台面的第二台面及第一台面和第二台面之间的台阶侧面；P电极和N电极，所述P电极形成在导电层之上，所述N电极形成在第二台面上，并且与台阶侧面相接触。
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