[发明专利]微机电系统器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201410432240.9 | 申请日： | 2014-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN105439080B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 郑超;马军德;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 应战,骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种微机电系统器件及其形成方法，所述微机电系统器件的形成方法，包括提供第一半导体衬底；形成位于第一半导体衬底表面的牺牲层；形成贯穿所述牺牲层的活动电极结构，所述活动电极结构包括位于第一半导体衬底表面的支撑结构和位于支撑结构上的电极结构；形成位于牺牲层内且位于第一半导体衬底表面的限制结构；去除所述牺牲层，暴露出活动电极结构、限制结构及部分第一半导体衬底表面；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底连接在第一半导体衬底表面并形成密闭空腔，活动电极结构及限制结构位于所述密闭空腔内部。限制结构限制了电极结构的最大活动距离，避免支撑结构发生过载断裂从而导致器件失效。 | ||
| 搜索关键词： | 微机 系统 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种微机电系统器件的形成方法，其特征在于，包括：提供第一半导体衬底；形成位于第一半导体衬底表面的牺牲层；形成贯穿所述牺牲层的活动电极结构，所述活动电极结构包括位于第一半导体衬底表面的支撑结构和位于支撑结构上的电极结构；形成位于牺牲层内且位于第一半导体衬底表面的限制结构；去除所述牺牲层，暴露出活动电极结构、限制结构及部分第一半导体衬底表面；提供第二半导体衬底，所述第二半导体衬底连接在第一半导体衬底表面并形成密闭空腔，活动电极结构及限制结构位于所述密闭空腔内部。
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