[发明专利]阵列基板及显示装置在审
| 申请号: | 201410431289.2 | 申请日: | 2014-08-28 |
| 公开(公告)号: | CN104218070A | 公开(公告)日: | 2014-12-17 |
| 发明(设计)人: | 陈鹏 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
| 地址: | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供了一种阵列基板,包括沿第一方向的多条栅极线;沿第二方向的多条数据线,第二方向与第一方向相互垂直,多条数据线与栅极线交错形成网格结构;位于网格结构的网格区域内的薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、有源层、源极和漏极,其中栅极的形成材料为透明导电材料,且有源层的形成材料为透明氧化物半导体材料。本发明所提供的阵列基板及显示装置中,TFT的栅极采用透明导电材料,有源层采用透明氧化物半导体材料,使栅极和有源层的光线透过率大大提高,从而极大地提高了TFT整体的光线透过率,减小了每个像素遮挡部分的面积,提高了像素开口率,增大了装置的显示亮度。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括:沿第一方向的多条栅极线;沿第二方向的多条数据线,所述第二方向与所述第一方向相互垂直,所述多条数据线与所述栅极线交错形成网格结构;位于所述网格结构的网格区域内的薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极、有源层、源极和漏极;其特征在于:所述栅极的形成材料为透明导电材料,且所述有源层的形成材料为透明氧化物半导体材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





