[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201410421827.X | 申请日： | 2014-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN105448989B | 公开（公告）日： | 2018-12-25 |
| 发明（设计）人： | 肖德元 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 张海强 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法，涉及半导体技术领域。其中，方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成缓冲层；对所述缓冲层进行图案化，以形成鳍片结构，所述鳍片结构包括在所述衬底上的缓冲层以及在所述缓冲层上的鳍片，所述鳍片结构作为调节栅电极；在所述鳍片的上表面、侧面以及所述缓冲层的表面上形成牺牲层；在所述牺牲层的表面上形成半导体材料层；在所述半导体材料层上形成控制栅电极结构，所述控制栅电极结构包括在所述半导体材料层表面上的控制栅电介质层、以及在所述控制栅电介质层上的控制栅电极；以及去除所述牺牲层，并在所述鳍片结构与所述半导体材料层之间形成氧化层，所述氧化层作为调节栅电介质层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；在所述衬底上形成缓冲层；对所述缓冲层进行图案化，以形成鳍片结构，所述鳍片结构包括在所述衬底上的缓冲层以及在所述缓冲层上的鳍片，所述鳍片结构作为调节栅电极；在所述鳍片的上表面、侧面以及所述缓冲层的表面上形成牺牲层；在所述牺牲层的表面上形成半导体材料层；在所述半导体材料层上形成控制栅电极结构，所述控制栅电极结构包括在所述半导体材料层表面上的控制栅电介质层、以及在所述控制栅电介质层上的控制栅电极；以及去除所述牺牲层，并在所述鳍片结构与所述半导体材料层之间形成氧化层，所述氧化层作为调节栅电介质层。
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