[发明专利]等离子体处理装置有效
| 申请号: | 201410417964.6 | 申请日: | 2014-08-22 |
| 公开(公告)号: | CN105448633B | 公开(公告)日: | 2018-05-29 |
| 发明(设计)人: | 李俊良;余东洋 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
| 主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/687 |
| 代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | 本发明公开了一种等离子体处理装置,包括真空处理腔室,其具有侧壁和顶板,侧壁的外周卷绕有感应线圈,通过向感应线圈供给电力在真空处理腔室内形成等离子体产生区域。气体导流组件平邻设于顶板下方且固定于顶板和/或侧壁,其包括板状主体和靠近板状主体边缘处的至少一个环形的导流结构。导流结构为由环状分布的多个通孔组成的通孔圈或为环状狭缝,其中通孔或环状狭缝在垂直方向上至少下段径向向外倾斜以引导反应气体朝向侧壁喷射。本发明能够有效提高反应气体的解离度及产生的等离子体的密度。 | ||
| 搜索关键词: | 侧壁 通孔 等离子体处理装置 导流结构 反应气体 感应线圈 环状狭缝 等离子体 板状主体边缘 等离子体产生 气体导流组件 真空处理腔室 真空处理腔 板状主体 供给电力 环状分布 径向向外 解离度 卷绕 邻设 外周 下段 喷射 室内 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体处理装置,包括:真空处理腔室,其具有侧壁和顶板;所述顶板具有用于引入反应气体的进气口;所述侧壁的外周沿长度方向卷绕有感应线圈;射频源,用于向所述感应线圈供给电力以在所述真空处理腔室内形成等离子体产生区域;以及气体导流组件,设于所述真空处理腔室内,水平邻设于所述顶板下方且固定于所述顶板和/或侧壁,其包括:板状主体;至少一个环形的导流结构,其靠近所述板状主体边缘处,贯穿所述板状主体的上下表面且与所述进气口连通;所述导流结构为由环状分布的多个通孔组成的通孔圈或环状狭缝,所述通孔或环状狭缝在垂直方向上至少下段径向向外倾斜以引导由该进气口引入的反应气体朝向所述侧壁的所述感应线圈喷射。
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