[发明专利]一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法

摘要

本发明涉及一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法。具体操作步骤如下：将镁合金盖板去污除油、碱性除油、酸洗浸蚀、活化处理、微弧氧化处理、填充封孔、磁控溅射真空镀，先磁控反应溅射8～15层铬钛膜层，再磁控反应溅射导电银膜层；铬钛膜层和导电银膜层组成复合金属膜层，复合金属膜层的厚度为3～5µm。其中进行微弧氧化处理后，表面生成的微弧氧化陶瓷膜层具有硬度高（HV200-1000）、耐蚀性强（CASS盐雾试验>360h）、绝缘性好（膜阻>80MΩ）、膜层与基底金属结合力强，陶瓷厚度在10～100微米（厚度可控），使镁合金表面的耐磨、耐腐蚀、耐热冲击及绝缘等性能得到极大提高。

主权项

一种镁合金微波组件盖板表面复合处理方法，其特征在于具体操作步骤如下：（1）去污除油把经过机械抛光后的镁合金盖板放置于丙酮溶液中，室温下超声清洗20～30分钟，取出用水冲洗干净；（2）碱性除油将经过去污除油的镁合金盖板在温度65～75℃，在除油溶液中浸蚀1～3 分钟，取出用水冲洗干净；（3）酸洗浸蚀将经过去污除油的镁合金盖板在40 ℃酸洗浸蚀溶液中浸泡1～2分钟，并轻微搅拌，取出用水冲洗干净；（4）活化室温下，将经过酸性浸蚀处理的镁合金盖板在活化溶液中浸泡90～180秒，取出用水冲洗干净；（5）微弧氧化将经过活化处理的镁合金盖板在硅酸钠碱性电解液中进行微弧氧化，整个氧化过程用恒电流控制，电流密度为10 A/dm2，对电解溶液进行搅拌，温度为20～40 ℃，氧化时间为12～20分钟，在镁合金表面形成微弧氧化陶瓷膜层，其厚度10～15 µm，取出用水冲洗干净，干燥保存；（6）填充封孔将经过微弧氧化处理的镁合金盖板在80℃的溶胶封孔剂中浸泡5～10分钟，使溶胶封孔剂浸入镁合金微弧氧化陶瓷膜层的微孔，形成有效封孔，用蒸馏水冲洗干净；（7）磁控溅射真空镀在微弧氧化陶瓷膜层表面磁控反应溅射沉积铬钛银（Cr/Ti/Ag）的复合金属多层膜；磁控反应溅射的真空室内平行设有铬（Cr）靶、银（Ag）靶和钛（Ti）靶；在真空室内的转架台上放置已经填充封孔处理好的镁合金盖板，控制转架台转速15 rpm，调节基底与靶材间的距离为8～12 cm；真空室内的真空达到10‑4数量级，工作气氛为纯氩气，控制氩气流量为10～30 sccm，保持气压在0.25～0.45 Pa；调整基底温度为120 ℃，开启钛（Ti）靶电源，钛（Ti）靶的电流为0.05 A、负偏压100～200 V，磁控反应溅射150～300秒，在所述微弧氧化涂层上沉积纯钛（Ti）结合层；调整基底温度在150 ℃，控制氩气流量在12～16 sccm，开启铬（Cr）靶电源，铬（Cr）靶的电流为0.3 A、调整负偏压为0～50 V，磁控反应溅射30～60秒，在纯钛（Ti）结合层上形成铬单层，接着在铬单层表面用纯钛结合层工艺参数溅射沉积钛单层，溅射时间控制为15～30秒，铬单层和钛单（Ti）层组成铬钛膜层；制作铬钛膜层8～15层；调整基底温度至180 ℃，开启银靶电源，银靶的电流为0.50 A，负偏压150～220 V，磁控反应溅射5～15分钟；在最后沉积的铬钛多层膜层上沉积导电银（Ag）膜层，所述导电银（Ag）膜层的厚度为0.2～0.6 µm；所述铬钛膜层和导电银（Ag）膜层组成复合金属多层膜，所述复合金属多层膜的厚度为3～5 µm。