[发明专利]III族氮化物晶体有效
申请号: | 201410411963.0 | 申请日: | 2010-06-03 |
公开(公告)号: | CN104250853B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 上松康二;长田英树;中畑成二;藤原伸介 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C30B29/38 | 分类号: | C30B29/38;C23C16/34;C30B25/20;H01L33/32 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 陈海涛;穆德骏 |
地址: | 日本大阪*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: |
本发明提供一种具有主面的III族氮化物晶体衬底,所述主面具有选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的面取向,所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种:1×10 |
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搜索关键词: | iii 氮化物 晶体 | ||
【主权项】:
一种具有主面的III族氮化物晶体衬底,所述主面具有选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的面取向,所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种:1×1016cm‑3以上且4×1019cm‑3以下的氧原子浓度,和6×1014cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的硅原子浓度。
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