[发明专利]III族氮化物晶体有效

专利信息
申请号: 201410411963.0 申请日: 2010-06-03
公开(公告)号: CN104250853B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 上松康二;长田英树;中畑成二;藤原伸介 申请(专利权)人: 住友电气工业株式会社
主分类号: C30B29/38 分类号: C30B29/38;C23C16/34;C30B25/20;H01L33/32
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 陈海涛;穆德骏
地址: 日本大阪*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供一种具有主面的III族氮化物晶体衬底,所述主面具有选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的面取向,所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种:1×1016cm‑3以上且4×1019cm‑3以下的氧原子浓度,和6×1014cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的硅原子浓度。由此,本发明能够提供具有面取向不同于{0001}的主面的高结晶度III族氮化物晶体。
搜索关键词: iii 氮化物 晶体
【主权项】:
一种具有主面的III族氮化物晶体衬底,所述主面具有选自{20‑21}、{20‑2‑1}、{22‑41}和{22‑4‑1}中的面取向,所述III族氮化物晶体衬底的特征还在于满足下列条件中的至少一种:1×1016cm‑3以上且4×1019cm‑3以下的氧原子浓度,和6×1014cm‑3以上且5×1018cm‑3以下的硅原子浓度。
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