[发明专利]非易失性存储器及磨损均衡方法有效
申请号: | 201410411569.7 | 申请日: | 2014-08-19 |
公开(公告)号: | CN105354152B | 公开(公告)日: | 2018-06-26 |
发明(设计)人: | 沙行勉;诸葛晴凤;朱冠宇;王元钢;石亮 | 申请(专利权)人: | 华为技术有限公司 |
主分类号: | G06F12/02 | 分类号: | G06F12/02;G06F12/0866 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518129 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种非易失性存储器及磨损均衡方法。该非易失性存储器包括存储介质和NVM控制器。该NVM控制器接收到待写入的第一物理页的第一数据后,可以先确定在本次写操作过程中,与所述第一物理页对应的第一写回页中每一行的改写状态。在根据获得的所述第一写回页中的每一行的改写状态以及记录的所述第一物理页的磨损状态确定本次写操作只需要对所述第一物理页中标识为未磨损的行进行改写的情况下,NVM控制器将述第一数据写入所述第一物理页,并将所述第一物理页的磨损次数保持不变。本发明实施例提供的非易失性存储器能够在维持较低的空间开销的基础上,能够提高磨损次数的计算精确度,延长非易失性存储器的使用寿命。 | ||
搜索关键词: | 物理页 非易失性存储器 磨损 改写 第一数据 磨损均衡 写操作 写回 写入 存储介质 空间开销 磨损状态 使用寿命 记录 | ||
【主权项】:
1.一种非易失性存储器NVM,其特征在于,所述NVM包括:存储介质,用于存储数据,其中,所述存储介质包括多个物理页,每一个物理页page包括多行line,每一行包括多个字节Byte;NVM控制器,用于接收第一写请求,所述第一写请求中携带有待写入所述NVM中的第一物理页的第一数据;确定所述第一物理页的磨损次数未超过预设阈值;根据与所述第一物理页对应的第一写回页中的数据以及所述第一数据获得所述第一写回页中每一行的改写状态,其中,所述第一写回页中的数据为缓存的所述第一物理页中的数据;根据记录的所述第一物理页的磨损状态以及所述第一写回页中每一行的改写状态判断本次写操作是否只需要对所述第一物理页中标识为未磨损的行进行改写;在判断本次写操作只需要对所述第一物理页中标识为未磨损的行进行改写的情况下,保持所述第一物理页的磨损次数不变,并将所述第一数据写入所述第一物理页。
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