[发明专利]一种MEMS器件及其制备方法、电子装置在审
| 申请号： | 201410407082.1 | 申请日： | 2014-08-18 |
| 公开（公告）号： | CN105439079A | 公开（公告）日： | 2016-03-30 |
| 发明（设计）人： | 王伟;刘炼;郑超;李卫刚 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B81B7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法、电子装置，所述方法包括步骤S1：提供覆盖晶圆，在覆盖晶圆中形成有第一凹槽；步骤S2：在所述第一凹槽的底部形成具有若干间隔设置的凸起图案的掩膜层；步骤S3：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述第一凹槽，以在第一凹槽中形成所述凸起图案；步骤S4：在所述覆盖晶圆上沉积隔离层，以覆盖所述覆盖晶圆和所述第一凹槽。在所述方法中首先提供覆盖晶圆，在所述覆盖晶圆中形成浅凹槽，然后在所述凹槽中形成凸起图案，以所述凸起图案为掩膜蚀刻所述凹槽，以在所述凹槽中形成所述凸起图案，然后沉积SiN层，所述凸起图案能够降低所述凸起图案和要沉积的隔离层之间的应力，避免所述隔离层发生脱落，以提高器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 器件 及其 制备 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
一种MEMS器件的制备方法，包括：步骤S1：提供覆盖晶圆，在所述覆盖晶圆中形成有第一凹槽；步骤S2：在所述第一凹槽的底部形成具有若干间隔设置的凸起图案的掩膜层；步骤S3：以所述掩膜层为掩膜蚀刻所述第一凹槽，以在所述第一凹槽中形成凸起图案；步骤S4：在所述覆盖晶圆上沉积隔离层，以覆盖所述覆盖晶圆和所述第一凹槽。
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