[发明专利]一种高灵敏度图像传感器像素结构及制作方法

摘要

本发明公开了一种高灵敏度图像传感器像素结构及制作方法，像素结构包括硅基底，所述硅基底中设有多个感光器件，相邻的感光器件之间设有浅槽隔离槽，所述多个感光器件的上方和下方分别设有正面平坦层和背面平坦层，所述正面平坦层的上面形成正面介质浅槽，所述背面平坦层的下面依次形成背面窄槽和背面宽槽，所述背面窄槽中设有多个背面微透镜，每个背面微透镜对应一个感光器件。能有效的提高入射光的吸收效率，改善图像传感器的灵敏度和图像性能。

主权项

一种高灵敏度图像传感器像素结构的制作方法，其特征在于：所述高灵敏度图像传感器像素结构包括硅基底，所述硅基底中设有多个感光器件，相邻的感光器件之间设有浅槽隔离槽，所述多个感光器件的上方和下方分别设有正面平坦层和背面平坦层，其特征在于，所述正面平坦层的上面形成正面介质浅槽，所述背面平坦层的下面依次形成背面窄槽和背面宽槽，所述背面窄槽中设有多个背面微透镜，每个背面微透镜对应一个感光器件；所述感光器件上面形成正面介质浅槽的方法包括步骤：A.旋涂光刻胶；B.曝光并显影，去除像素阵列区域上面的光刻胶；C.进一步的，采用刻蚀工艺去除像素阵列上面无光刻胶区域的部分介质层，形成正面介质浅槽；D.清洗光刻胶，将所有光刻胶去除；E.在减薄介质层上面制作平坦层；F.在平坦层上制作彩色滤光片；G.在滤光片上面制作微透镜；所述感光器件下面形成背面宽槽、背面窄槽以及背面微透镜方法包括步骤：A1.对感光器件背面的衬底进行CMP和湿法腐蚀；B1.在减薄后的背面衬底旋涂光刻胶；C1.曝光并显影，去除像素阵列区域上面的光刻胶；D1.进一步的，采用刻蚀工艺去除像素阵列上面无光刻胶区域的部分硅衬底，形成背面宽槽；E1.清洗光刻胶，将所有光刻胶去除；F1.进一步的，在减薄后的衬底上旋涂光刻胶；G1.曝光并显影，去除距离宽槽边缘2～5um以内的光刻胶；H.采用刻蚀工艺去除无光刻胶区域的部分衬底硅，形成背面窄槽；I.清洗光刻胶，将所有光刻胶去除；J.在窄槽内制作背面平坦层；K.在背面平坦层上面制作背面微透镜；L.在背面微透镜上面加载玻璃遮挡层；M.在玻璃遮挡层上淀积介质层直至填满背面宽槽；N.采用化学机械研磨和湿法腐蚀，对这个背面进行化学机械研磨。