[发明专利]具有终端结构的场截止型IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201410403564.X | 申请日： | 2014-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN104143568A | 公开（公告）日： | 2014-11-12 |
| 发明（设计）人： | 朱袁正;李宗清 | 申请（专利权）人： | 无锡新洁能股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;张涛 |
| 地址： | 214131 江苏省无锡市滨湖区高浪东路999号*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有终端结构的场截止型IGBT器件及其制造方法，在所述半导体基板第一主面的元胞区内设置IGBT器件结构，在所述第一主面的终端区内设置终端保护结构；在半导体基板的第二主面上，设置有与第二导电类型集电区欧姆接触的集电极金属，第二导电类型集电区与第一导电类型漂移区间通过第一导电类型缓冲区相隔离；所述第二导电类型集电区包括位于元胞区内的第二导电类型第一集电区以及位于终端区的第二导电类型第二集电区；第一导电类型缓冲区包括位于元胞区内的第一导电类型第一缓冲区以及位于终端区内的第一导电类型第二缓冲区。本发明能有效降低现有的场截止型IGBT器件的开关损耗，提高IGBT器件的使用可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 终端 结构 截止 igbt 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有终端结构的场截止型IGBT器件，在所述IGBT器件的俯视平面上，包括位于半导体基板上的元胞区和终端区，所述元胞区位于半导体基板的中心区域，终端区环绕包围所述元胞区；在所述IGBT器件的截面上，所述半导体基板具有两个相对应的主面，所述主面包括第一主面以及第二主面，半导体基板的第一主面与第二主面间包括第一导电类型漂移区；在所述半导体基板第一主面的元胞区内设置IGBT器件结构，在所述第一主面的终端区内设置终端保护结构；在半导体基板的第二主面上，设置有与第二导电类型集电区欧姆接触的集电极金属，第二导电类型集电区与第一导电类型漂移区间通过第一导电类型缓冲区相隔离；其特征是：所述第二导电类型集电区包括位于元胞区内的第二导电类型第一集电区以及位于终端区的第二导电类型第二集电区；第一导电类型缓冲区包括位于元胞区内的第一导电类型第一缓冲区以及位于终端区内的第一导电类型第二缓冲区。
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