[发明专利]利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置及方法有效
| 申请号： | 201410401635.2 | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN105336645B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 温子瑛;张倪涛 | 申请（专利权）人： | 无锡华瑛微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州简理知识产权代理有限公司 32371 | 代理人： | 杨瑞玲 |
| 地址： | 214135 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置及方法。所述装置包括臭氧发生器、溶剂瓶、气液混合装置、密闭腔、气液输送系统和气液排放系统；所述臭氧发生器和所述溶剂瓶分别与所述气液混合装置对应的入口相连，所述气液混合装置的出口与所述密闭腔的至少一个入口相连；所述密闭腔采用微处理腔，所述微处理腔包括相配合的上腔室部和下腔室部。本发明通过将含臭氧的气液混合流体或含臭氧的溶液和臭氧气体输入一个密闭腔里，通过提高气相中臭氧的分压，缩短臭氧从产生到被使用的时间，保证臭氧在溶液中的浓度，从而提高含臭氧流体对放在密闭腔体内晶片表面的处理效果；同时通过微处理腔设计降低所用气体和液体的消耗，减少排放。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 臭氧 流体 处理 半导体 晶片 表面 装置 方法 | ||
【主权项】：
一种利用含臭氧的流体处理半导体晶片表面的装置，其特征是：包括臭氧发生器、溶剂瓶、气液混合装置及密闭腔，还包括气液输送系统和气液排放系统；所述臭氧发生器和所述溶剂瓶分别与所述气液混合装置对应的入口相连，所述气液混合装置的出口与所述密闭腔的至少一个入口相连。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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