[发明专利]一种硅片的磷吸杂工艺

摘要

本发明涉及一种硅片的磷吸杂工艺，属于光伏技术领域。其将制备好绒面的硅片放入扩散炉里，通入氮气、三氯氧磷和氧气，升温进行扩散；扩散分为第一步扩散、第二步扩散和退火三个阶段，沉积完成后冷却至常温即可。本发明能有效减小重掺杂“死层”，硅片的平均少子寿命大大提高；按照电池片的正常工艺完成刻蚀、PECVD、丝网烧结等工艺后，做出的电池片平均转化效率进一步提高，电池片的各项电性能参数更优。

主权项

一种硅片的磷吸杂工艺，其特征是步骤为：（1）沉积：将制备好绒面的硅片放入扩散炉里，通入氮气、三氯氧磷和氧气，升温进行扩散；具体步骤如下：a、第一步扩散：扩散时间为10~30s，炉口温度为835~855℃，炉中温度为800~820℃，炉尾温度为800~810℃，氮气的通入量为13000~15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；b、第二步扩散：扩散时间为600~800s，炉口温度为800~850℃，炉中温度为800~830℃，炉尾温度为800~810℃，氮气的通入量为13000~15000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；c、第三步扩散：扩散时间为150~200s，炉口温度为820~850℃，炉中温度为810~830℃，炉尾温度为810~820℃，氮气的通入量为14000~16000mL，三氯氧磷和氧气的通入量均为0mL；d、第四步扩散：扩散时间为280~320s，炉口温度为820~850℃，炉中温度为810~830℃，炉尾温度为810~820℃，氮气的通入量为18000~20000mL，三氯氧磷的通入量为0mL，氧气的通入量为800mL；e、第五步扩散：扩散时间为850~950s，炉口温度为820~850℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为24000~26000mL，三氯氧磷的通入量1800~2200mL，氧气的通入量为1500~2000mL；f、第六步扩散：扩散时间为550~650s，炉口温度为820~840℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为24000~26000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；g、第七步扩散：扩散时间为750~850s，炉口温度为820~840℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为24000~26000mL，三氯氧磷的通入量1800~2200mL，氧气的通入量为1600~2000mL；h、第八步扩散：扩散时间为300~350s，炉口温度为820~840℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为26000~28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；i、第九步扩散：扩散时间为1100~1300s，炉口温度为720~760℃，炉中温度为720~760℃，炉尾温度为720~760℃，氮气的通入量为26000~28000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；j、第十步扩散：扩散时间为650~750s，炉口温度为820~840℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为820~830℃，氮气的通入量为16000~20000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；k、第十一步扩散：扩散时间为10~20s，炉口温度为820~830℃，炉中温度为820~830℃，炉尾温度为810~820℃，氮气的通入量为16000~20000mL，三氯氧磷的通入量0mL，氧气的通入量为0mL；（2）冷却：待步骤（1）掺杂完成后，将硅片从扩散炉中取出并冷却至室温，即得硅片。