[发明专利]一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201410401006.X | 申请日： | 2014-08-14 |
| 公开（公告）号： | CN104157690B | 公开（公告）日： | 2017-05-10 |
| 发明（设计）人： | 王向展;邹淅;黄建国;赵迪;张易;曾庆平;于奇;刘洋 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心51203 | 代理人： | 李明光 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种带槽型结构的应变NLDMOS器件及其制作方法，属于半导体技术领域。技术方案为带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底、沟道掺杂区、漂移区、源重掺杂区、漏重掺杂区、栅氧、场氧、栅，还包括设置在漂移区的沿源漏方向的P型掺杂的槽型结构，所述槽型结构向漂移区宽度方向引入压应力、长度方向引入张应力。引入应力的方法为向槽型结构区域淀积无定型材料，通过退火使无定型材料变成多晶材料过程中体积的膨胀引入应力，或者向槽型结构区域进行氧离子注入，退火使氧离子与硅反应生成二氧化硅，通过硅氧化过程中体积的膨胀引入应力。本发明器件在保证击穿电压的同时降低了漂移区的电阻，提升了器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 带槽型 结构 应变 nldmos 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种带槽型结构的应变NLDMOS器件，包括半导体衬底(1)、沟道掺杂区(2)、漂移区(3)、源重掺杂区(4)、漏重掺杂区(5)、栅氧(6)、场氧(7)、栅(8)，其特征在于，还包括设置在漂移区的沿源漏方向的P型掺杂的槽型结构(10)，所述槽型结构内的介质层为二氧化硅或热处理体积膨胀的介质材料，所述槽型结构(10)向漂移区的宽度方向引入压应力，长度方向引入张应力。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201410401006.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置
- 下一篇：有机电致发光显示器
- 同类专利
- 专利分类
