[发明专利]TEM样品的制备方法及TEM样品在审
| 申请号： | 201410398380.9 | 申请日： | 2014-08-13 |
| 公开（公告）号： | CN105334086A | 公开（公告）日： | 2016-02-17 |
| 发明（设计）人： | 陈柳;段淑卿;苏佳伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01N23/22 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 吴贵明;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种TEM样品的制备方法及TEM样品。其中，该制备方法包括以下步骤：在芯片中获得包含待测结构的薄片，薄片包括相对设置的第一面和第二面；沿第一面对薄片进行第一次研磨，以使第一面靠近待测结构；在第一次研磨后的第一面上沉积第一保护层，使第一保护层和待测结构具有相近的成像衬度；沿第二面对薄片进行第二次研磨，以使第二面靠近待测结构；将第二次研磨后的薄片从芯片中剥离，以获得TEM样品。该制备方法能够获得更薄的TEM样品，并减少对该TEM样品进行拍照时所得TEM照片中的重影。同时，该制备方法广泛适用于具有粗糙表面或待测结构与非待测结构难以分离的TEM样品的制备。 | ||
| 搜索关键词： | tem 样品 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种TEM样品的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括以下步骤：在芯片中获得包含待测结构的薄片，所述薄片包括相对设置的第一面和第二面；沿所述第一面对所述薄片进行第一次研磨，以使所述第一面靠近所述待测结构；在所述第一次研磨后的所述第一面上沉积第一保护层，使所述第一保护层和所述待测结构具有相近的成像衬度；沿所述第二面对所述薄片进行第二次研磨，以使所述第二面靠近所述待测结构；将所述第二次研磨后的所述薄片从所述芯片中剥离，以获得所述TEM样品。
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