[发明专利]具有槽屏蔽电极结构的半导体器件在审
| 申请号： | 201410397676.9 | 申请日： | 2009-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN104157688A | 公开（公告）日： | 2014-11-19 |
| 发明（设计）人： | P·温卡特拉曼 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/739;H01L29/745;H01L29/41;H01L27/088;H01L27/082 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 金晓 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一个实施方式中，具有槽屏蔽电极的半导体器件的结构包括控制垫、控制浇道、屏蔽浇道和控制/屏蔽电极接触结构。该结构配置成使用单层金属来将各种部件连接在一起。在另一实施方式中，屏蔽浇道放置成从中心配置偏离。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 屏蔽电极 结构 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件结构，其包括：半导体材料区，其具有主表面以及第一边缘和相对的第二边缘；槽，其在从所述第一边缘到所述第二边缘的第一方向上延伸；屏蔽电极，其在所述槽中形成；与所述屏蔽电极接触的第一接触，所述第一接触相邻于所述第一边缘而形成；与所述屏蔽电极接触的第二接触，所述第二接触相邻于所述第二边缘而形成；以及与所述屏蔽电极接触的第三接触，所述第三接触从沿着所述第一方向的所述半导体器件结构的中心偏离，以便所述第三接触更接近所述第一边缘而不是更接近所述第二边缘。
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