[发明专利]S-西酞普兰的制备方法在审
| 申请号： | 201410391097.3 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104119248A | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 杨凤智;陆翠军 | 申请（专利权）人： | 广东东阳光药业有限公司 |
| 主分类号： | C07C253/34 | 分类号： | C07C253/34;C07C255/59;C07C69/76;C07C67/52;C07D307/87 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋;杨晞 |
| 地址： | 523808 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种可用于制备S-西酞普兰的中间体的晶体、其制方法，和这种晶体用于制备高光学纯度的S-西酞普兰的方法。此种晶体具有较好的储存稳定性，易于转移，具有较高的光学纯度，可用于制备S-西酞普兰，得到高光学纯度的S-西酞普兰；有利于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 普兰 制备 方法 | ||
【主权项】：
式(02)所示的化合物(02)的晶型A：![]()
其X‑射线粉末衍射图中大约在7.09,16.77,20.70,25.27度的位置的一处或多处有峰；或者其X‑射线粉末衍射图中大约在2θ为7.09,10.90,16.77,20.70,22.49,25.27度的位置的一处或多处有峰；或者其X‑射线粉末衍射图中大约在2θ为7.09,7.73,10.90,16.77,17.62,18.19,20.70,22.49,25.27度的位置的一处或多处有峰；或者其X‑射线粉末衍射图中大约在2θ为7.09,7.73,10.10,10.90,12.53,16.77,17.62,18.19,19.76,20.70,21.83,22.49,24.50,25.27度的位置的一处或多处有峰；或者其X‑射线粉末衍射图中大约在2θ为7.09,7.73,7.91,9.48,10.10,10.90,11.22,11.74,12.53,14.87,15.44,16.38,16.77,17.62,18.19,19.41,19.76,20.70,21.04,21.83,22.49,24.21,24.50,25.27,30.15度的位置的一处或多处有峰；或者其X‑射线粉末衍射图基本上如图1所示，其中衍射角2θ为7.09度的峰的相对强度大于90％，或大于99％。
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