[发明专利]垂直型LED芯片结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201410390800.9 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104134723A | 公开（公告）日： | 2014-11-05 |
| 发明（设计）人： | 吕孟岩;张琼;童玲;张宇;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 映瑞光电科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/60;H01L33/62;H01L33/58 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种垂直型LED芯片结构及其制备方法，在P-GaN层上依次形成透明导电接触层、设有分布图形的低折射率介质层和反射层三层组成的复合反射镜，可使低折射率介质层占复合反射镜较大的面积，能够大大降低反射镜对光的吸收比例，且由于透明导电接触层横向导电能力优秀，可保证电流在整个P-GaN层均匀的分布，有效提高了复合反射镜的综合有效反射率。 | ||
| 搜索关键词： | 垂直 led 芯片 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种垂直型LED芯片结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：提供生长衬底，在所述生长衬底上形成外延层，所述外延层包括依次形成的未掺杂层、N‑GaN层、量子阱层和P‑GaN层，所述未掺杂层形成在所述生长衬底上；在所述P‑GaN层上形成透明导电接触层；在所述透明导电接触层上形成低折射率介质层，对所述低折射率介质层进行光刻，刻蚀出分布图形，所述分布图形暴露出所述透明导电接触层；在所述低折射率介质层和透明导电接触层上形成反射层；在所述反射层上形成保护层及金属键合层；在所述金属键合层上键合键合衬底；去除所述生长衬底，并刻蚀所述未掺杂层，暴露出所述N‑GaN层；在所述N‑GaN层上形成N电极。
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