[发明专利]通过栅氧的双氧化提高栅氧均匀性的方法有效
| 申请号： | 201410390774.X | 申请日： | 2014-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN104167354B | 公开（公告）日： | 2017-07-28 |
| 发明（设计）人： | 秦佑华;陈广龙;殷冠华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 王宏婧 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种通过栅氧的双氧化提高栅氧均匀性的方法，包括第一步骤，利用有源区光罩对氧化层和氮化硅层刻蚀，形成浅沟道隔离；第二步骤，对浅沟道底部和侧壁进行氧化以形成浅沟道氧化层；第三步骤，对浅沟道填充介质并对填充的介质进行平坦化处理；第四步骤，用于去除氧化层和氮化硅层；第五步骤，用于对衬底进行第一次氧化以形成第一氧化层；第六步骤，用于完全去除第一氧化层；第七步骤，用于对衬底进行第二次氧化以形成作为栅极氧化层的第二氧化层；第八步骤，用于在第二氧化层上进行多晶硅淀积以形成悬浮栅层。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 氧化 提高 均匀 方法 | ||
【主权项】：
一种通过栅氧的双氧化提高栅氧均匀性的方法，其特征在于包括：第一步骤，利用有源区光罩对氧化层和氮化硅层刻蚀，形成浅沟道隔离；第二步骤，对浅沟道底部和侧壁进行氧化以形成浅沟道氧化层；第三步骤，对浅沟道填充介质并对填充的介质进行平坦化处理；第四步骤，去除氧化层和氮化硅层；第五步骤，对衬底进行第一次氧化以形成第一氧化层；第六步骤，完全去除第一氧化层；第七步骤，对衬底进行第二次氧化以形成作为栅极氧化层的第二氧化层；第八步骤，用于在第二氧化层上进行多晶硅淀积以形成悬浮栅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
