[发明专利]具有侧壁层和超厚金属层的集成电路及其制造方法有效
| 申请号： | 201410386801.6 | 申请日： | 2014-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN104377189B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 吕志弘;郝静晨 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/528 | 分类号： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种集成电路，包括衬底、位于衬底上方的金属层以及位于金属层上方的第一介电层。第一介电层包括通孔。包括硅化合物的侧壁层位于通孔中。第二介电层位于侧壁层上方并且超厚金属(UTM)层位于通孔中。本发明涉及具有侧壁层和超厚金属层的集成电路及其制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 侧壁 金属 集成电路 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：衬底；金属层，位于所述衬底上方；第一介电层，位于所述金属层上方，所述第一介电层具有通孔；第一蚀刻停止层，位于所述金属层和所述第一介电层之间；侧壁层，位于所述通孔中，所述侧壁层包括硅化合物，其中，所述通孔包括通孔侧壁，并且，所述侧壁层包括邻近所述通孔侧壁的垂直部分和位于所述第一介电层上方的水平部分；第二蚀刻停止层，位于所述第一介电层和所述侧壁层的所述水平部分之间；第二介电层，位于所述侧壁层上方；以及超厚金属(UTM)层，位于所述通孔中，所述超厚金属层比所述金属层厚。
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