[发明专利]半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201410386613.3 | 申请日： | 2014-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN104465392A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 西尾让司;清水达雄;太田千春;饭岛良介;四户孝 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 戚宏梅;杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置的制造方法中，准备基板，从从液相中在基板的表面生长p型的SiC单晶层，该液相为，含有Si(硅)、C(碳)、p型杂质、以及n型杂质，在将p型杂质设为元素A、将n型杂质设为元素D的情况下，元素A和元素D的组合为从Al(铝)和N(氮)、Ga(镓)和N(氮)、以及In(铟)和N(氮)中选择的至少一个组合即第一组合、以及B(硼)和P(磷)的第二组合中的至少一方的组合，构成第一或第二组合的元素D的浓度相对于元素A的浓度的比大于0.33小于1.0。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其中，从液相中在基板的表面生长p型的SiC单晶层，该液相为，含有Si(硅)、C(碳)、p型杂质及n型杂质，在将所述p型杂质设为元素A、将所述n型杂质设为元素D的情况下，所述元素A和所述元素D的组合为第一组合和第二组合中的至少一方的组合，该第一组合为从Al(铝)和N(氮)、Ga(镓)和N(氮)、以及In(铟)和N(氮)中选择的至少一个组合，该第二组合为B(硼)和P(磷)的组合，并且，构成所述第一或第二组合的所述元素D的浓度相对于所述元素A的浓度的比大于0.33小于1.0。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
