[发明专利]氮化物系场效应晶体管及其制造方法在审
| 申请号： | 201410384611.0 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104347699A | 公开（公告）日： | 2015-02-11 |
| 发明（设计）人： | 竹谷元伸 | 申请（专利权）人： | 首尔半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 孙昌浩;李盛泉 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开一种氮化物系场效应晶体管及其制造方法。所述氮化物系场效应晶体管包括：源极；第一导电型的第一开关半导体层，形成于所述源极的下部；第二导电型的第二开关半导体层，形成于所述第一开关半导体层下部；所述第一导电型的第三开关半导体层，以包裹所述第二开关半导体层的下部以及所述第一开关半导体层和第二开关半导体层的侧面的形态形成；栅芯，在所述第一开关半导体层和第二开关半导体层的侧部形成为侧面具有用于形成沟道的垂直面或倾斜面；栅极绝缘膜，形成于所述栅极下表面；漏极，根据经由所述沟道的垂直方向的电荷流动而与所述源极电耦合。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种氮化物系场效应晶体管，包括：源极；第一导电型的第一开关半导体层，形成于所述源极的下部；第二导电型的第二开关半导体层，形成于所述第一开关半导体层下部；所述第一导电型的第三开关半导体层，以包裹所述第二开关半导体层的下部以及所述第一开关半导体层和第二开关半导体层的侧面的形态形成；栅芯，在所述第一开关半导体层和第二开关半导体层的侧部形成为侧面具有用于形成沟道的垂直面或倾斜面；栅极绝缘膜，形成于所述栅芯下表面；漏极，根据经由沟道的垂直方向的电荷流动而与所述源极电耦合。
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