[发明专利]用于制造具有不同阈值电压的FinFET的系统和方法有效
| 申请号： | 201410383797.8 | 申请日： | 2014-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN104779165B | 公开（公告）日： | 2018-02-16 |
| 发明（设计）人： | 刘继文;王昭雄 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了用于制造具有不同阈值电压的FinFET的系统和方法。本发明提供了用于在衬底上制造半导体器件结构的系统和方法。在衬底上形成第一鳍结构。在衬底上形成第二鳍结构。在第一鳍结构和第二鳍结构上形成第一半导体材料。在第一鳍结构和第二鳍结构上的第一半导体材料上形成第二半导体材料。氧化第一鳍结构上的第一半导体材料以形成第一氧化物。去除第一鳍结构上的第二半导体材料。在第一鳍结构上形成第一介电材料和第一电极。在第二鳍结构上形成第二介电材料和第二电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 不同 阈值 电压 finfet 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种在衬底上制造半导体器件的方法，所述方法包括：在所述衬底上形成第一鳍结构；在所述衬底上形成第二鳍结构，所述第二鳍结构与所述第一鳍结构分离设置；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上形成第一半导体材料；在所述第一鳍结构和所述第二鳍结构上的所述第一半导体材料上形成第二半导体材料；氧化所述第一鳍结构上的所述第一半导体材料以形成第一氧化物；去除所述第一鳍结构上的所述第二半导体材料，而保留所述第二鳍结构上的所述第二半导体材料；在所述第一鳍结构上形成第一介电材料和第一电极；以及在所述第二鳍结构上形成第二介电材料和第二电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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