[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置有效
| 申请号： | 201410381849.8 | 申请日： | 2014-08-05 |
| 公开（公告）号： | CN104167449B | 公开（公告）日： | 2017-09-22 |
| 发明（设计）人： | 姜春生 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/51;H01L21/44;H01L21/443 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 彭瑞欣,陈源 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置。该薄膜晶体管的制备方法包括在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源区、源极和漏极，有源区采用ZnON材料形成，在形成栅绝缘层的同时对形成栅绝缘层的材料进行控制处理，使薄膜晶体管工作时，栅绝缘层能持续地向有源区中补充氮元素，以使薄膜晶体管的亚阈值摆幅≤0.5mV/dec。该制备方法使栅绝缘层中的氮元素含量大大提高，由此使得在薄膜晶体管工作时，栅绝缘层能持续地向有源区中补充氮元素，从而大大提高了有源区中氮空位的迁移率，也即大大提高了有源区中载流子的迁移率，进而降低了薄膜晶体管的亚阈值摆幅，提升了薄膜晶体管的半导体特性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管的制备方法，包括在衬底基板上形成栅极、栅绝缘层、有源区、源极和漏极，所述有源区采用ZnON材料形成，其特征在于，在形成所述栅绝缘层的同时对形成所述栅绝缘层的材料进行控制处理，使所述薄膜晶体管处于工作状态时，所述栅绝缘层能持续地向所述有源区中补充氮元素，以使所述薄膜晶体管的亚阈值摆幅≤0.5mV/dec；形成所述栅绝缘层包括分别形成第一栅绝缘层和第二栅绝缘层，所述第二栅绝缘层形成于所述第一栅绝缘层与所述有源区之间；所述在形成所述栅绝缘层的同时对形成所述栅绝缘层的材料进行控制处理具体包括：按照SiNx为140～180sccm，N2为1750～2250sccm，NH3为700～900sccm的气体体积流量提供气体SiNx、N2和NH3，以沉积形成所述第一栅绝缘层；按照SiNx为140～180sccm，N2为≥3500sccm，NH3为≥1400sccm的气体体积流量提供气体SiNx、N2和NH3，以沉积形成所述第二栅绝缘层，其中，X的取值范围为1～4/3；或者，所述在形成所述栅绝缘层的同时对形成所述栅绝缘层的材料进行控制处理具体包括：采用SiH4和NH3，并按照SiH4：NH3≤1：90的气体体积流量比沉积形成所述栅绝缘层；或者，所述在形成所述栅绝缘层的同时对形成所述栅绝缘层的材料进行控制处理具体包括：首先，按照SiNx为140～180sccm，N2为1750～2250sccm，NH3为700～900sccm的气体体积流量提供气体SiNx、N2和NH3，以沉积形成所述栅绝缘层，其中，X的取值范围为1～4/3；然后，将NH3电离并将电离后产生的氮离子轰击到所述栅绝缘层的朝向所述有源区的表面。
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