[发明专利]电子束感应蚀刻有效
| 申请号： | 201410376713.8 | 申请日： | 2014-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104241067B | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | A·马丁;M·托思 | 申请（专利权）人： | FEI公司 |
| 主分类号： | H01J37/30 | 分类号： | H01J37/30;H01J37/305 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张涛;陈岚 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种电子束感应蚀刻。束感应蚀刻使用维持在接近前体材料的沸点的温度处的工件，但是该温度足够高以脱附反应副产物。在一个实施例中，NF3被用作用于在低于室温的温度下进行硅的电子束感应蚀刻的前体气体。 | ||
| 搜索关键词： | 电子束 感应 蚀刻 | ||
【主权项】：
1.一种带电粒子束蚀刻的方法，包括：将衬底的表面冷却到包括NF3的前体气体的沸点之上100˚C以内；将被冷却的表面暴露于所述前体气体；以及在存在所述前体气体的情况下利用带电粒子束照射被冷却的表面，所述前体气体在存在所述带电粒子束的情况下进行反应以从被冷却的表面移除材料。
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