[发明专利]一种半导体器件及其制造方法和电子装置有效
| 申请号： | 201410370715.6 | 申请日： | 2014-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105428256B | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 郑超;马军德;郭亮良;王伟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/60;B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;赵礼杰 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。本发明的半导体器件包括下部衬底、形成于下部衬底上的包括MEMS器件和电感的前端器件以及与下部衬底键合并与下部衬底共同形成用于容置前端器件的空腔的上部衬底，还包括设置于上部衬底的朝向前端器件的表面的部分区域的吸附层，其中吸附层与电感在竖直方向上不存在重叠。该半导体器件由于吸附层与电感在竖直方向上不存在重叠，因此可以降低电感与吸附层的耦合效应，提高电感的品质因子，从而提高半导体器件的性能。本发明的半导体器件的制造方法用于制造上述半导体器件，制得的半导体器件同样具有上述优点。本发明的电子装置包括上述半导体器件，同样具有上述优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，包括下部衬底、形成于所述下部衬底上的包括MEMS器件和电感的前端器件以及与所述下部衬底键合并与所述下部衬底共同形成用于容置所述前端器件的空腔的上部衬底，还包括设置于所述上部衬底的朝向所述前端器件的表面的部分区域的吸附层，其中所述吸附层与所述电感在竖直方向上不存在重叠。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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