[发明专利]处理多晶硅还原尾气的系统

摘要

本发明公开了一种处理多晶硅还原尾气的系统，包括：第一冷凝装置，适于将多晶硅还原尾气进行第一冷凝；膜分离装置，与第一冷凝装置相连，适于对经过第一冷凝的多晶硅还原尾气进行分离处理，其中，膜分离装置具有有机渗透膜，氢气选择性透过有机渗透膜；还原装置，与膜分离装置相连，适于使氢气与三氯氢硅进行还原反应；第二冷凝装置，与膜分离装置相连，适于将混合气体进行第二冷凝；吸附-脱附装置，与第二冷凝装置相连，适于将不凝气进行吸附处理和脱附处理，得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的混合物；以及氢化装置，与吸附-脱附装置相连，适于将含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应。该系统可以显著降低能耗和设备投资成本。

主权项

一种处理多晶硅还原尾气的系统，其特征在于，包括：第一冷凝装置，所述第一冷凝装置适于将所述多晶硅还原尾气进行第一冷凝处理，以便得到经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气；膜分离装置，所述膜分离装置与所述第一冷凝装置相连，适于对所述经过第一冷凝处理的多晶硅还原尾气进行分离处理，以便分别得到氢气和混合气体，其中，所述膜分离装置具有有机渗透膜，所述氢气选择性透过所述有机渗透膜；还原装置，所述还原装置与所述膜分离装置相连，适于使所述氢气与三氯氢硅进行还原反应，以便得到单质硅；第二冷凝装置，所述第二冷凝装置与所述膜分离装置相连，适于将所述混合气体进行第二冷凝处理，以便得到氯硅烷冷凝液和不凝气；吸附‑脱附装置，所述吸附‑脱附装置与所述第二冷凝装置相连，适于将所述不凝气进行吸附处理和脱附处理，以便得到氢气和含有氯硅烷和氯化氢的混合物，并将所述氢气的一部分供给至所述还原装置；以及氢化装置，所述氢化装置与吸附‑脱附装置相连，适于将所述含有氯硅烷和氯化氢的混合物与四氯化硅进行氢化反应，以便得到三氯氢硅。